ICS_ 31. 200 L 56 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T 6798--1996 半导体集成电路 电压比较器测试方法的基本原理 Semiconductor integrated circuits General principles of measuring methods of voltage comparators 1997-01-01实施 1996-07-09发布 国家技术监督局 发布 目 次 主题内容与适用范围 2引用标准 3 总的要求 4 电特性测试 4.1 输入失调电压Vio 4.2 输入失调电压温度系数αvIO 4.3 输入失调电流I1o. 4. 4 输入失调电流温度系数α1o 4.5 输入偏置电流IB. 4.6 输入偏置电流温度系数αB 4.7 静态功耗Pp 4.8 开环电压增益AvD 4.9 共模抑制比KcMR 10 4.10 最大共模输入电压VicM 13 4.11 电源电压抑制比KsVR 13 4.12 最大差模输入电压ViDM 15 4.13 输出高电平电压VoH 16 4.14 输出低电平电压VoL 16 4.15 高电平输出电流IoH 17 4.16 低电平输出电流IoL 18 4.17 开环差模输入电阻RiD 19 4.18 开环单端输出电阻Ros 19 4.19 低电平选通电流IsT(L) 20 4.20 高电平选通电流IsT(H) 21 4.21 响应时间 22 4.22 选通延迟时间tsT 23 附录 A 电参数符号（补充件） 25 中华人民共和国国家标准 半导体集成电路 电压比较器测试方法的基本原理 GB/T6798—1996 Semiconductor integrated circuits 代替GB6798-86 General principles of measuring methods of voltage comparators 1主题内容与适用范围 本标准规定了半导体集成电路电压比较器(以下简称器件)电特性测试方法的基本原理。 本标准适用于半导体集成电路电压比较器电特性的测试。 2引用标准 GB3431.1半导体集成电路文字符号电参数文字符号 3总的要求 3.1若无特殊说明，测试期间，环境或参考点温度偏离规定值的范围应符合器件详细规范的规定。 3.2测试期间，应避免外界干扰对测试精度的影响。测试设备引起的测试误差应符合器件详细规范的 规定。 3.3测试期间，施于被测器件的电源的内阻在信号频率下应基本为零；电源电压的偏差应在规定值的 土1%以内。施于被测器件的其他电参量的精度应符合器件详细规范的规定。 3.4在被测器件线性工作区测试时，交流小信号幅度的逐渐减小不应引起参数值的变化。 3.5被测器件与测试系统连接或断开时，不应超过器件的使用极限条件。 3.6若有要求时，应按器件详细规范规定的顺序接通电源。 3.7测试期间，被测器件应连接详细规范规定的辅助电路和补偿网络。 3.8测试期间，被测器件应避免出现自激现象。 3.9若电特性值是由几步测试的结果经计算而确定时，这些测试的时间间隔应尽可能短。 3.10采用辅助放大器(A)与被测器件(DUT)构成闭合环路的方法测试时，基本测试原理图如图1所 示。 国家技术监督局1996-07-09批准 1997-01-01实施 GB/T 6798—1996 RF V+ RL Vo Rs R DUT St K Ci VREF 图 1 辅助放大器应满足下列要求： 开环增益大于60dB； b，输入失调电流和输入偏置电流应很小； C. 动态范围足够大。 环路元件应满足下列要求： a．满足下列表达式 R, · IB<Vio : R<Rw; Rs · In>Vio; Ros<R<RD; R =R2: 式中：IB-被测器件的输入偏置电流，mA; Vo被测器件的输入失调电压，V; R—被测器件的开环差模输入电阻，； Ros-辅助放大器的开环单端输出电阻，Q。 b．Rp/R，值决定了测试精度，但须保证辅助放大器在线性区工作。 3.11对MOS器件，测试期间测试设备或操作者应避免因静电感应而引起器件失效。 3.12本标准使用的电参数文字符号按GB3431.1和附录A（补充件）的规定。 4电特性测试 4.1输入失调电压V10 4.1.1目的 本方法用于测试使输出电压为规定值时，两输入端间所加的直流补偿电压。 4.1.2测试原理图 Vio的测试原理图如图2所示。 GB/T 6798—1996 RF V+ Rt Ri DUT V oH--V oL --V oBC 图 2 4.1.3测试条件 测试期间，下列测试条件应符合器件详细规范的规定。 a. 环境或参考点温度； b. 电源电压； c. 输出规定电压； d. 输出负载； e. 环路条件； f. 共模输入电压； g. 其他引出端条件及辅助网络。 4.1.4测试程序 4.1.4.1# 按器件详细规范规定的环境条件及应接的输入、输出网络，将被测器件接入测试系统中。 4.1.4.2 接通规定的电源电压。按规定的输出电压，选择相应的测试程序。 4.1.4.3开关S接通负平衡电压一VoB，从辅助放大器“A”输出端测得VLo(B)。则对应输出规定电压 VoB的输入失调电压为： Vro - R; . VLO(B) R, + Rr 4.1.4.4开关S：接通负输出高电平一VoH时，测得VLOo(H)，此时对应的输入失调电压为： Vio(H) = R1 .VLO(H) R + Re 4.1.4.5开关S接通负输出低电平一VoL时，测得VLo(L)，此时对应的输入失调电压为： R1 . VLo(L) o 取Vio(H)、Vio(L)中大者为对应输出规定上、下限电压的输入失调电压Vio。 4.2输入失调电压温度系数 αvio 4.2.1目的 本方法用于测试输入失调电压随环境温度的变化率。 4.2.2测试原理图 αvIo的测试原理图同Vto的测试原理图，如图2所示。 4.2.3测试条件 3 GB/T 6798---1996 测试期间，下列测试条件应符合器件详细规范的规定。 a. 环境温度范围； b. 电源电压； c. 输出规定电压； d. 输出负载； e. 环路条件； f. 共模输入电压； g. 其他引出端条件及辅助网络。 4.2.4 测试程序 4.2.4.1 在环境温度TA=25℃下，按本标准4.1.4的程序测得V101。 4.2.4.2将环境温度调至规定的最低温度TA(MIN)，按本标准4.1.4的程序测得Vio2。由下式计算求出 αvo-) : Vro. -- Vro2. αvIO() TA- TA(MIN) 4.2.4.3将环境温度调至规定的最高温度TA(MAx)，按本标准4.1.4的程序测得Vi03。 由下式计算出αvi>+）： Vio3 -- Vio vIO(+) TA(MAX) - TA 总的输入失调电压温度系数可表述为： V103. V102 αvio = 4.3输入失调电流I1) 4.3.1目的 本方法用于测试使输出电压为规定值时，流入两输入端的电流之差。 4.3.2测试原理图 Ino的测试原理图如图3所示。 V. S R DUT R RF 图 3 4.3.3测试条件 测试期间，下列测试条件应符合器件详细规范的规定。 a. 环境或参考点温度； GB/T 6798-1996 b. 电源电压； c. 输出规定电压； d. 输出负载； e. 输入端测试电阻Rsi; f. 环路条件； g. 共模输入电压； h. 其他引出端条件及辅助网络。 4.3.4测试程序 4.3.4.1按器件详细规范规定的环境条件及应接的输入、输出网络，将被测器件接入测试系统中。 4.3.4.2接通规定的电源电压。按规定的输出电压，选择相应的测试程序。 4.3.4.3开关S：接通规定电压-VoB。 4.3.4.4开关S1、S2接点闭合，从辅助放大器"A”的输出端测得电压VLo。 4.3.4.5开关S1、S2接点断开，从辅助放大器“A”的输出端测得电压VL1。由下式计算出对应输出规定 电压VoB的输入失调电流Iio为： R VLi - VLo Rs1 4.3.4.6开关S：接通规定电压一VoH。重复4.3.4.4和4.3.4.5程序测得电压VLo<H)，VLI(H)，由下式计 算出对应输出规定电压VoH的输入失调电流Iro(H)为： R,, VLi(H) - VLo(H) Iio(H) = R + Rr Rs1 4.3.4.7开关Ss接通规定电压一VoL，重复4.3.4.4和4.3.4.5程序，测得电压VLo<L)，VL1L>，由下式 计算出对应输出规定电压VoL的输入失调电流Ito(L)为： R, VLi(L) -- VLo(l) Io(L) = Rs1 选取Io(H)与Iio(L)中大者为对应输出上、下限电压的输入失调电流I1o。 4.4输入失调电流温度系数αuo 4.4.1目的 本方法用于测试输入失调电流随环境温度的变化率。 4.4.2测试原理图 αuo的测试原理图同Iio的测试原理图，如图3所示。 4.4.3测试条件 测试期间，下列测试条件应符合器件详细规范的规定： a. 环境温度范围； b. 电源电压； c. 输出规定电压； d. 输出负载； e. 输入测试电阻Rs1; f. 环路条件； g. 共模输入电压； h. 其他引出端条件及辅助网络。 4.4.4 测试程序 4.4.4.1 在环境温度TA=25℃下，按本标准4.3.4的程序测得Iro1。 4.4.4.2 将环境温度调至规定最低温度TA(MIN)，按本标准4.3.4的程序测得I102。由下式计算求出 5