ICS_ 31. 200 L 56 GB 中华人民共和宝国家标准 GB/T 6798--1996 半导体集成电路 电压比较器测试方法的基本原理 Semiconductor integrated circuits General principles of measuring methods of voltage comparators 国家标准全文公开系统专用，此文本仅供个人学习、研究之用 未经授权，禁止复制、发行、汇编、翻译或网络传播等，侵权必究。 全国标准信息公共服务平台：https：//stdl.samr.gov.cn SAG 1997-01-01实施 1996-07-09发布 国家技术监督局 发布 目 次 主题内容与适用范围 2引用标准 3 总的要求 4 电特性测试 4.1 输入失调电压V1o 4.2 输入失调电压温度系数αvIO 4.3 输入失调电流I1o 4. 4 输入失调电流温度系数αi10 4.5 输入偏置电流IB. 4.6 输入偏置电流温度系数αB 4.7 静态功耗Pp 4.8 开环电压增益AvD 4.9 共模抑制比KcMR 10 4.10 最大共模输入电压VicM 13 4.11 电源电压抑制比KsVR 13 4.12 最大差模输入电压ViDM 15 4.13 输出高电平电压VoH 16 4.14 输出低电平电压VoL 16 4.15 高电平输出电流IoH 17 4.16 低电平输出电流IoL 18 4.17 开环差模输入电阻RiD 19 4.18 开环单端输出电阻Ros 19 4.19 低电平选通电流IsT(L) 20 4.20 高电平选通电流IsT(H) 21 4.21 响应时间 22 4.22 选通延迟时间tsT 23 附录 A 电参数符号（补充件） 25 中华人民共和国国家标准 半导体集成电路 电压比较器测试方法的基本原理 GB/T6798—1996 Semiconductor integrated circuits 代替GB6798-86 General principles of measuring methods of voltage comparators 1主题内容与适用范围 本标准规定了半导体集成电路电压比较器(以下简称器件)电特性测试方法的基本原理。 本标准适用于半导体集成电路电压比较器电特性的测试。 2引用标准 GB3431.1半导体集成电路文字符号电参数文字符号 3总的要求 3.1若无特殊说明，测试期间，环境或参考点温度偏离规定值的范围应符合器件详细规范的规定。 3.2测试期间，应避免外界干扰对测试精度的影响。测试设备引起的测试误差应符合器件详细规范的 规定。 3.3测试期间，施于被测器件的电源的内阻在信号频率下应基本为零；电源电压的偏差应在规定值的 土1%以内。施于被测器件的其他电参量的精度应符合器件详细规范的规定。 3.4在被测器件线性工作区测试时，交流小信号幅度的逐渐减小不应引起参数值的变化。 3.5被测器件与测试系统连接或断开时，不应超过器件的使用极限条件。 3.6若有要求时，应按器件详细规范规定的顺序接通电源。 3.7测试期间，被测器件应连接详细规范规定的辅助电路和补偿网络。 3.8测试期间，被测器件应避免出现自激现象。 3.9若电特性值是由几步测试的结果经计算而确定时，这些测试的时间间隔应尽可能短。 3.10采用辅助放大器(A)与被测器件(DUT)构成闭合环路的方法测试时，基本测试原理图如图1所 示。 国家技术监督局1996-07-09批准 1997-01-01实施