ICS 29.045 H 82 中华人民共和国国家标准 GB/T29055—2019 代替GB/T29055—2012 太阳能电池用多晶硅片 Multicrystalline silicon wafers for photovoltaic solar cell 2020-05-01实施 2019-06-04发布 国家市场监督管理总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T29055—2019 前言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草。 本标准代替GB/T29055—2012《太阳电池用多晶硅片》。本标准与GB/T29055—2012相比，除编 辑性修改外主要技术变化如下： 修改了适用范围，将“适用于铸锭多晶切片垂直于长晶方向生产的太阳电池用多晶硅片”改为 删除了规范性引用文件GB/T1551和SEMIMF1535，增加了GB/T30860、GB/T30869、 年版的第2章）。 删除了密集线痕的定义，增加了线痕和微裂纹的定义（见3.1和3.2，2012年版的3.1）。 修改了边长分类，由125mmX125mm和156mmX156mm改为156.75mmX156.75mm， 建议边长的增减量为1mm的整数倍（见表1,2012年版的表1）。 将外形尺寸分类与要求合并，并修改了边长、厚度及允许偏差的要求（见4.1，2012年版的 第4章、第5章）。 一修改了总厚度变化、弯曲度的要求（见4.1.2012年版的5.2）。 5.3.5)。 一增加了表面质量中缺口、微裂纹的要求（见4.4.1）。 一修改了表面质量中崩边缺陷的要求（见4.4.2，2012年版的5.1.2）。 删除了表面质量中的色斑、边缘缺陷、晶粒数量及尺寸规格中密集型线痕的要求（见2012年版 的5.1.1、5.1.3、5.1.4、5.2)。 一增加了类单晶硅片的要求（见第4章）。 修改了组批、检验项目、取样及检验结果的判定（见6.2、6.3、6.4,2012年版的7.2、7.3、7.4）。 修改了包装的要求（见7.2.1，2012年版的8.1.1）。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203）与全国半导体设备和材料标准 化技术委员会材料分技术委员会（SAC/TC203/SC2）共同提出并归口。 本标准起草单位：江苏协鑫硅材料科技发展有限公司、镇江仁德新能源科技有限公司、江西赛维 LDK太阳能高科技有限公司、宜昌南玻硅材料有限公司、有色金属技术经济研究院、扬州荣德新能源科 技有限公司、苏州协鑫光伏科技有限公司、英利能源（中国）有限公司。 本标准主要起草人：万跃鹏、唐骏、游达、林清香、苏磊、李素青、余刚、高长昆、常传波、李建敏、何亮、 梁学勤、齐灵燕、孙培亚、李英叶。 本标准所代替标准的历次版本发布情况为： —GB/T29055—2012。 1 GB/T29055—2019 太阳能电池用多晶硅片 1范围 本标准规定了太阳能电池用多晶硅片（以下简称硅片）的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运 输、贮存、质量证明书及订货单（或合同）内容。 本标准适用于太阳能电池用铸造多晶硅片（包括类单晶硅片）。 2 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文 件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T1550非本征半导体材料导电类型测试方法 计划 GB/T 6616 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法非接触涡流法 GB/T 6618 硅片厚度和总厚度变化测试方法 GB/T 6619 硅片弯曲度测试方法 GB/T14264 半导体材料术语 GB/T 29054 太阳能级铸造多晶硅块 GB/T 30860 太阳能电池用硅片表面粗糙度及切割线痕测试方法 GB/T 30869 太阳能电池用硅片厚度及总厚度变化测试方法 SJ/T 11627 太阳能电池用硅片电阻率在线测试方法 SJ/T 11628 太阳能电池用硅片尺寸及电学表征在线测试方法 SJ/T 11630 太阳能电池用硅片几何尺寸测试方法 SJ/T 11631 太阳能电池用硅片外观缺陷测试方法 SJ/T11632 太阳能电池用硅片微裂纹缺陷的测试方法 YS/T 28 硅片包装 3 术语和定义 GB/T14264和GB/T29054界定的以及下列术语和定义适用于本文件。 3.1 线痕 sawmarks 晶块切割时，在晶片表面留下的条状凸纹和凹纹形状的不规则痕迹。 3.2 微裂纹microcrack 宽度在微米量级，无法通过肉眼直接识别的裂纹。 1 GB/T29055—2019 4要求 4.1 外形尺寸 硅片的外形尺寸及允许偏差应符合表1的规定。 表 1 项目 要求 允许偏差 边长*/mm 156.75X156.75 ±0.25 倒角/mm 51.5 ±0.5 160 ±10 170 厚度/μm 180 190 ±20 200 总厚度变化/um 08V 弯曲度/μm ≤50 相邻两边的垂直度/（°） 90 ±0.25 边长的增减量建议为1mm的整数倍。 b厚度的增减量建议为10μum的整数倍。 4.2 电学性能 4.2.1 硅片的导电类型为P型。 4.2.2 硅片的电阻率为0.52·cm~3.02cm。 4.2.3 硅片的载流子寿命应符合GB/T29054的规定，质量由供方保证 4.3 间隙氧和代位碳含量 硅片的间隙氧含量和代位碳含量应符合GB/T29054的规定，质量由供方保证。 4.4 表面质量 4.4.1硅片表面应洁净，无缺口、沾污、目视裂纹、微裂纹、孔洞等缺陷。 4.4.2硅片表面不应有“V"型缺口的崩边缺陷，允许有深度小于0.3mm、长度小于0.5mm的崩边缺 陷，且整片不超过2处。 4.4.3硅片表面的单条线痕深度值应不大于15μm。 4.5 类单晶硅片的最大晶粒面积比例 类单晶硅片的最大晶粒面积比例应符合表2的规定。 2 GB/T290552019 表 2 要求 项目 1类" Ⅱ类 最大晶粒面积比例 100%b <100% bI类类单晶硅片最大晶粒面积比例一般要求为100%，如供需双方协商一致，可允许最大晶粒面积比例 为97%。 4.6其他 需方如对硅片的技术指标有特殊要求时，可由供需双方协商确定并在合同中注明。 5试验方法 进行。 5.2厚度和总厚度变化的检验按GB/T6618、GB/T30869或SJ/T11628的规定进行。仲裁方法按 GB/T6618的规定进行。 5.3弯曲度的检验按GB/T6619的规定进行，或由供需双方协商确定。 5.4相邻两边垂直度的检验按SJ/T11628或SJ/T11630的规定进行。仲裁方法按SJ/T11630的规 定进行。 5.5导电类型的检验按GB/T1550的规定进行 5.6电阻率的检验按GB/T6616、SJ/T11627或SJ/T11628的规定进行。仲裁方法按GB/T6616的 规定进行。 5.7表面质量（除微裂纹、线痕）的检验按SJ/T11631的规定进行，或由供需双方协商确定 5.8表面微裂纹的检验按SJ/T11632的规定进行。 5.9表面线痕的检验按GB/T30860的规定进行。 50cm的位置垂直于硅片表面目视进行 6检验规则 6.1# 检验和验收 6.1.1产品应由供方进行检验，保证产品质量符合本标准及订货单（或合同）的规定，并填写质量证 明书。 6.1.2需方应对收到的产品按本标准的规定进行检验，如检验结果与本标准及订货单（或合同）的规定 不符时，应以书面形式向供方提出，由供需双方协商解决。属于外形尺寸或表面质量的异议，应在收到 产品之日起一个月内提出；属于其他性能的异议，应在收到产品之日起三个月内提出。如需仲裁，应由 供需双方协商确定。 6.2组批 硅片应成批提交验收。每批应由相同工艺生产的同一外形尺寸、导电类型和电阻率范围的硅片 3