ICS29.045 H80/84 团体标准 T/IAWBS009-2019 功率半导体器件稳态湿热高压偏置试验 HighVoltageBiasSteady-stateTemperatureHumidityTestforPower SemiconductorDevices 2019-12-27发布 中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟发布 2019-12-31实施 全国团体标准信息平台 全国团体标准信息平台 T/IAWBS009—2019 I目次 前言.................................................................................................................................................1 1范围.................................................................................................................................................2 2规范性引用文件.............................................................................................................................2 3一般性说明.....................................................................................................................................2 4试验装置要求.................................................................................................................................2 4.1湿热试验箱.......................................................................................................................2 4.2高压直流电源...................................................................................................................2 4.3加湿用水...........................................................................................................................2 4.4最小污染物释放...............................................................................................................3 4.5避免高压放电...................................................................................................................3 4.6器件发热控制...................................................................................................................3 5试验条件及严酷等级.....................................................................................................................3 6试验步骤.........................................................................................................................................3 6.1一般要求...........................................................................................................................3 6.2预处理...............................................................................................................................3 6.3初始检测...........................................................................................................................4 6.4受试器件安装...................................................................................................................4 6.5上升...................................................................................................................................4 6.6下降...................................................................................................................................4 6.7器件内部湿气稳定时间..................................................................................................4 6.8试验计时...........................................................................................................................4 6.9施加偏置电压...................................................................................................................4 6.10中间检测.........................................................................................................................4 6.11最后检测.........................................................................................................................4 7失效判据.........................................................................................................................................4 8试验报告中应给出的信息.............................................................................................................5 全国团体标准信息平台 全国团体标准信息平台 T/IAWBS009—2019 1前言 本标准按照GB/T1.1-2009给出的规则起草。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。 本标准由中国科学院电工研究所提出,由中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟归口。 本标准起草单位：中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、中国科学院电工研究所、全 球能源互联网研究院有限公司、北京新能源汽车技术创新中心有限公司、深圳吉华微特电子 有限公司。 本标准主要起草人：张瑾、仇志杰、宁圃奇、陆敏、李尧圣、陈艳芳、魏跃远、王泽兴、 潘志坚、冷轶群、刘祎晨、林雪如。 全国团体标准信息平台 2功率半导体器件稳态湿热高压偏置试验 1范围 本标准