ICS31. 080.01 GB CCS L40 中华人民共和国国家标准 GB/T 17573—XXXX/IEC 60747-1 :2010 代替 GB/T 17573-1998 半导体器件 第1部分：总则 Semiconductor devices Part 1: General (IEC 60747-1:2010, IDT) (报批稿） （本草案完成时间：2025.02.20） XXXX-XX-XX 发布 XXXX-XX-XX实施 国家市场监督管理总局 发布 国家标准化管理委员会 GB/T 17573—XXXX/IEC 60747-1:2010 目 次 前言 引言. 1 范围 2 规范性引用文件 3 术语和定义. 4 文字符号 4. 1 4. 2 电流、电压和功率的文字符号. 4. 3 以对数标度单位dB表示的信号比的文字符号 4. 4 其他电特性的文字符号. 4. 5 其他量的文字符号， 4. 6 极限值表示. 5基本额定值和特性.. 12 5. 1 通则. 5. 2 工作条件、额定值和特性之间的关系. 5. 3 数据资料发布的标准格式.. 5. 4 型号识别... 5. 5 引出端和引出端极性识别 5.6 电额定值和特性.. 5.7 冷却条件. 5.8 推荐的温度 5.9推荐的电压和电流. 5.10 机械额定值（极限值） 5. 11 机械特性. 5.12 具有公用封装的复合半导体器件 6测试方法. 6. 1 概述... 6. 2 可替代的测试方法. 16 6. 3 测试精度. 6.4 对器件和测试设备的保护.. 6.5 测试方法的热条件.. 6.6 测试电路的精度. 7分立器件的接收和可靠性.. 7.1通则... 7.2电耐久性试验 8静电敏感器件.. 8.1标志和符号.. 8.2对短电压脉冲敏感的半导体器件的试验方法 23 9产品停售通知 9.1定义... 9.2停售的通用方面. .24 1 GB/T 17573—XXXX/IEC 60747-1:2010 9.3 停售通知的资料信息. .24 9. 4 通知. 9.5 保留... ..24 附录A（资料性） IEC60747和IEC60748的说明.. .25 A.1IEC60747标准范围.. A. 2 IEC60748标准范围.. A. 3 IEC60747和IEC60748的非IECQ部分的介绍. ..25 附录B（资料性） 与GB/T17573（1998）第一版中条文的交叉参考. ..28 II GB/T17573—XXXX/IEC60747-1:2010 前言 本文件按照GB/T1.1一2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定 起草。 本文件是《半导体器件》的第1部分，《半导体器件》已经发布了以下部分： 一第1部分：总则； 第10部分：分立器件和集成电路总规范； 本文件代替GB/T17573一1998《半导体器件分立器件和集成电路第1部分：总则》，与GB/T 17573一1998相比，除文件结构调整和编辑性改动外，主要技术变化如下： a）术语和定义 1） 删除了在国际电工词汇（IEV）中已给出的术语或与IEV相冲突的术语，删除内容包括物 理学术语、通用术语、器件类型、有关额定值和特性的术语、热特性、噪声、其他术语、 表征电流和电压的恒定值或周期波形的术语、脉冲术语和定义、输入至输出脉冲开关时 间，通用术语（见1998年版的第IV篇名词术语（通用部分）中的2、3.1.1～3.1.3、 3. 1. 6、3.1.7、3. 1. 10、3. 1.11、3.2、3. 7.1、3.7.3~3.7. 6、3.8、3.9、4、5. 1、5.2. 4、 5.2.6、5.3.1、5.3.3、5.3.5、5.3.6、5.4.1、5.4.3~5.4.5、5.5.3~5.5.4、5.6、6、 7.1.1、7.1.3、7.2; 2）更改“有源电路元件activecircuitelement”为“有源active”；更改“无源电路元 b）文字符号 （），“（），（ 字符号（见1998年版的第V篇中的4.5），删除了“电流、电压和功率文字符号的摘要 表”（见1998年版的第V篇中的2.3）； 2） 更改了“周期量值应用示例”、“复合器件的下标”中的示例、“电流、电压极性表示”、 “关于下标的补充规定”中的内容（见4.2.1、4.2.7、4.2.8）； 3）增加了“微分”、时间下标（见4.4.4、4.5.2）和“4.6极限值表示”。 c）基本额定值和特性 集电极引出端的位置（见1998年版的第VI篇中的8.1），具有四个引出端的高频双极型 晶体管的引出端位置（见1998年版的第VI篇中的8.2）； 2) 更改了引出端和引出端极性识别（见5.5）、推荐温度（见5.8）、冷却条件（5.7）、 推荐电压和电流（见5.9）、产品的离散性和一致性（见5.2.3）机械特性的“尺寸”说 明（见5.11.1）、具有公用封装的复合半导体器件（见5.12）的内容； 3）增加了“工作条件、额定值和特性之间的关系”（见5.2）、“电额定值和特性”（见 5.6）、“安装条件”（见5.10.2）的内容。 d）测试方法 1）更改了测试方法的引言，并转换为概述，不再区分一般测试方法和基准测试方法（见6.1)； 2） 更改了测试精度（见6.3）、对器件和测试设备的保护（见6.4）、测试方法的热条件（见 6.5）、测试电路的精度（见6.6）的部分内容： 3) 增加了可替代的测试方法（见6.2）。 e）分立器件的接收和可靠性 III GB/T17573—XXXX/IEC 60747-1:2010 1）增加了概述（见7.1），“如果使用时间超过200小时，则认为该项试验具有破坏性”的 表述（见7.2.1）和“特性应按其列出的顺序进行测试，因为”表述（见7.2.9）； 2） 删除了“特殊要求（通用部分）”中的耐久性试验表、耐久性试验条件、耐久性试验后， 接收的判定失效特性和失效判据、可靠性试验的判定失效特性和失效判据、表I和表II 的内容（1998年版的第VIII篇中的3.1～3.4、3.6）； 3） 更改了7.2.3.1的条文表述，将原标准“支撑点出的温度应不低于环境温度”修订为“支 撑点处的温度应保持在工作环境温度公差范围内”，更改了试验持续时间的列表示例数 值（见7.2.7）。 f）静电敏感器件 1）删除了操作注意事项（见1998年版的第IX篇的1）； 2）删除了对短电压脉冲敏感的半导体器件的试验方法试验电路和说明、遵守的预防措施、 试验程序、规定的条件（见1998年版的第IX篇的3.2～3.5）。 g）增加了产品停售通知、附录AIEC60747和IEC60748简介和附录BGB/T17573（1998）第 一版中条文的交叉参考。 本文件等同采用IEC60747-1：2010《半导体器件第1部分：总则》。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。 本文件由中华人民共和国工业和信息化部提出。 本文件由全国半导体器件标准化技术委员会（SAC/TC78）归口。 本文件起草单位：河北北芯半导体科技有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所、华东光电 集成器件研究所、淄博芯材集成电路有限责任公司、石家庄天林石无二电子有限公司、西安电子科技大 学、天津大学、中国人民解放军陆军工程大学石家庄校区、常州银河世纪微电子股份有限公司、江西万 年晶半导体有限公司、迅芯微电子（苏州）股份有限公司、西安空间无线电技术研究所、深圳通锐微电 子技术有限公司、新启航半导体有限公司、北京伊泰克电子有限公司、深圳市朗帅科技有限公司、广东 方舟智造科技有限公司、广州正业电子科技股份有限公司、北京市科通电子继电器总厂有限公司、山东 阅芯电子科技有限公司。 本文件主要起草人：刘涛、陈丙根、迟雷、覃祥丽、赵玉玲、王宇涛、吕瑞芹、焦龙飞、桂明洋、 彭浩、席善斌、胡松祥、安伟、王冲、郑雪峰、王超、孙宏军、杨洁、贾林、陈亚洲、胡小锋、周晓黎、 张文华、陈龙坡、高金环、闫彦萍、庄建军、白俊春、李崧岩、唐旭、陈娜、张恒、王庭云、任源、邓 家榆、孔令海、王正克、赖耀康、朱阳军。 本文件及其所代替文件的历次版本发布情况为： -1998年首次发布为GB/T17573-1998，本次为第一次修订。 IV GB/T17573 3—XXXX/1EC60747-1:2010 引言 半导体器件是电子行业的通用基础产品，为电子系统中的最基本单元，其性能与可靠性直接影响工 程质量和可靠性。《半导体器件》是半导体器件产品标准，是半导体器件进行研制生产和检验的基础性 和通用性标准，对于规范半导体器件的参数体系、验证、测试方法及质量考核起着重要作用，由2个部 分构成。 第1部分：总则。目的在于规定有关适用于各类分立器件标准的一般原则或要求。 -第10部分：分立器件和集成电路总规范。目的在于规定半导体器件质量评定的总程序，规定 电特性测试方法、气候和机械试验、耐久性试验的总原则。 《半导体器件》对应采用国际标准IEC60747-1和IEC60747-10，以保证与国际标准一致，实现半 导体器件的参数体系、验证方法、测试方法、可靠性评价、质量水平等与国际接轨。通过制定该文件， 为半导体器件的研制、生产和检验提供依据和重要支撑。