ICS 31. 080. 01 GB CCS L40 中华人民共和国国家标准 GB/T 17573—XXXX/1EC 60747-1 :2010 代替GB/T17573-1998 半导体器件 第1部分：总则 Semiconductor devices- Part 1 : General (IEC 60747-1:2010, IDT) (征求意见稿) （本稿完成时间：2024.06.10） 在提交反馈意见时，请将您知道的相关专利连同支持性文件一并附上。 XXXX-XX-XX 发布 XXXX-XX-XX实施 国家市场监督管理总局 发布 国家标准化管理委员会 GB/T 17573—XXXX/IEC 60747-1:2010 目 次 前 言 II 1 范围. 2规范性引用文件 3术语和定义. 4文字符号. 4.1概述 4.2电流，电压和功率的文字符号 4.3以对数标度单位dB表示的信号比的文字符号 4.4其他电特性的字母符号 4.5其他量的文字符号 4.6极限值表示. 11 5基本额定值和特性 12 5.1概述 12 5.2使用条件、额定值和特性之间的关系. 12 5.3介绍发布资料的标准格式 5.4型号识别 13 5.5引出端和引出端极性识别 13 5.6电额定值和特性， 13 5.7冷却条件. 13 5.8推荐温度 14 5.9推荐电压和电流 14 5.10机械额定值（极限值） 15 5.11机械特性 15 5.12具有公用封装的复合半导体器件 15 6测试方法. 16 6.1概述 16 6.2可替代的测试方法 16 6.3测试精度 16 6.4对器件和测试设备的保护 17 6.5测试方法的热条件 6.6测量电路的精度 18 7分立器件的接收和可靠性， 19 7.1概述. 19 7.2电耐久性试验 19 8静电敏感器件 22 8.1标志和符号 22 8.2对短电压脉冲敏感的半导体器件的试验方法 23 9产品停产通知 23 9.1定义 23 9.2停产的通用方面 24 9.3停产通知的资料 24 I GB/T 17573—XXXX/IEC 60747-1:2010 9.4通知， 24 9.5保留， .24 附录 A （资料性） IEC60747和IEC60748的介绍. . 25 A.1IEC60747部分的范围 .25 A.2IEC60748部分的范围 A.3IEC60747和IEC60748的非IECQ部分的介绍. . 25 B （资料性）60747-1（1983）第 一版中的条文交叉参考 .28 参 考 文 献 32 图1周期电流量值应用示例 6 图2降额曲线： .20 图3需要进行特殊处理的静电敏感器件使用的符号 23 表1具有两种惯例的极限值示意图 12 表2失效率的工作条件. 21 表B.160747-1（1983）第一版中的条文交叉参考. .28 II GB/T17573—XXXX/IEC60747-1:2010 前言 本文件按照GB/T1.1一2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定 起草。 本文件是《半导体器件分立器件》的第1部分，《半导体器件分立器件》已经发布了以下部分： 一第1部分：总则； 第2部分：整流二极管 第2-1部分：100A以下环境或管壳额定整流二极管（包括雪崩整流二极管）空白详细规范； 第2-2部分：大于100A，环境和管壳额定的整流二极管（包括雪崩整流二极管）空白详细规范； 第3部分：信号（包括开关）二极管和调整二极管； 第3-1部分：信号二极管、开关二极管和可控雪崩二极管空白详细规范； 第3-2部分：信号（包括开关）二极管和调整二极管电压调整二极管电压基准二极管（不包 括温度补偿精确基准二极管）空白详细规范； 第4部分：微波二极管和晶体管； 第4-1部分：微波二极管和晶体管微波场效应晶体管空白详细规范； 第6部分：晶闸管； 第6-1部分：100A以下环境或管壳额定反向阻断三极闸流晶体管空白详细规范； 第6-2部分：100A以下环境或管壳额定双向三极闸流晶体管空白详细规范： 第6-3部分：电流大于100A、环境和管壳额定的反向阻断三极晶闸管空白详细规范； 第7部分：双极型晶体管； 第7-1部分：高低频放大环境额定的双极型晶体管空白详细规范； 第7-2部分：低频放大管壳额定的双极型晶体管空白详细规范； 第7-3部分：开关用双极型晶体管空白详细规范； 第7-4部分：高频放大管壳额定双极型晶体管空白详细规范； 第8部分：场效应晶体管； 第8-1部分：1GHz、5W以下的单栅场效应晶体管空白详细规范： 第8-3部分：管壳额定开关用场效应晶体管空白详细规范； 第9部分：绝缘栅双极晶体管（IGBT）； 第10部分：分立器件和集成电路总规范； 第11部分：分立器件分规范。 本文件代替GB/T17573一1998《半导体器件分立器件和集成电路第1部分：总则》，与GB/T 17573一1998相比，除文件结构调整和编辑性改动外，主要技术变化如下： a）术语和定义 1）删除了在国际电工词汇（IEV）中已给出的术语或与IEV相冲突的术语，删除内容包括物 理学术语、通用术语、器件类型、有关额定值和特性的术语、热特性、噪声、其他术语、 表征电流和电压的恒定值或周期波形的术语、脉冲术语和定义、输入至输出脉冲开关时 间，通用术语（见1998年版的第IV篇名词术语（通用部分）中的2、3.1.1～3.1.3、 3. 1.7、3.2、3.7.1、3.7.3~3.7.6、3. 8、3. 9、4、5. 1、5.2. 4、5.2.6、5.3. 1、5. 3.3、 5. 3. 5、5. 3. 6、5. 4. 3~5. 4. 5、5. 5. 3~5. 5. 4、5. 5. 5. 1、5. 6、6、7. 1. 1、7. 1. 3、7. 2. 1~ 7.2.4); 。）， b）文字符号 III GB/T17573—XXXX/IEC 60747-1:2010 “（），“（），（ 字符号（见1998年版的第V篇中的4.5），删除了“电流，电压和功率文字符号规则汇 总表”（见1998年版的第V篇中的2.3）； 2） 更改了“周期量值应用示例”、“复合器件的下标”中的示例、“电流、电压极性表示”、 “关于下标的补充规定”中的内容（见4.2.1、4.2.7、4.2.8）； 3）增加了“微分”、时间下标、极限值表示的文字符号（见4.4.4、4.5.2、4.6）。 基本额定值和特性 1） 删除了基本额定值和特性的定义（见1998年版的第VI篇中的3.1）、半导体器件管座上 引出端位置的标准化（见1998年版的第VI篇中的8）、产品的离散性和一致性（见1998 年版的第VI篇中的11）、印制导线和印刷电路（见1998年版的第VI篇中的12）； 2） 更改了引出端和引出端极性识别（见5.5）、推荐温度（见5.8）、冷却条件（5.7）、 推荐电压和电流（见5.9）、机械特性的“尺寸”说明（见5.11.1）、具有公用封装的 复合半导体器件（见5.12）的内容； 3）增加了“使用条件、额定值和特性之间的关系”（见5.2）、“安装条件”（见5.10.2） 的内容。 d）测试方法 1）删除了有关区分一般测试方法和推荐测试方法的条文表述； 2）更改了对器件和测试设备的保护（见6.3）、测试方法的热条件（见6.5）、测量电路的 精度（见6.6）的内容； 3）增加了可替代的测试方法（见6.2）。 e) 分立器件的接收和可靠性 1）增加了概述（见7.1）； 2）删除了“特殊要求（通用部分）”中的耐久性试验表、耐久性试验条件、耐久性试验后， 接收的判定失效特性和失效判据、可靠性试验的判定失效特性和失效判据、表I和表II 的内容（1998年版的第VIII篇中的3.1～3.4、3.6）。 f）静电敏感器件 1）删除了操作注意事项（见1998年版的第IX篇的1）； 2） 删除了对短电压脉冲敏感的半导体器件的试验方法试验电路和说明、遵守的预防措施、 试验程序、规定的条件（见1998年版的第IX篇的3.2～3.5）。 g）增加了产品停产通知、附录AIEC60747和IEC60748简介和附录B60747-1（1983）第一版 中的条文交叉参考。 本文件等同采用IEC60747-1：2010《半导体器件第1部分：总则》。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任， 本文件由中华人民共和国工业和信息化部提出。 本文件由全国半导体器件标准化技术委员会（SAC/TC78）归口。 本文件起草单位：中电国基北方有限公司、河北北芯半导体科技有限公司…· 本文件主要起草人：刘涛、彭浩、焦龙飞、桂明洋、安伟··· 本文件及其所代替文件的历次版本发布情况为： GB/T17573-1998，1998年首次发布，本次为第一次修订。 IV GB/T17573—XXXX/IEC60747-1:2010 引言 半导体器件是电子行业的通用基础产品，为电子系统中的最基本单元，其性能与可靠性直接影响工 和通用性标准，对于规范半导体器件的参数体系、验证、测试方法及质量考核起着重要作用，拟由41 个部分构成。 第1部分：总则。目的在于规定有关适用于各类分立器件标准的一般原则或要求。 一第2部分：整流二极管。目的在于规定整流二极管的术语、文字符号、基本额定值和特性以 及测试方法等产品特定要求。 一第2-1部分：100A以下环境或管壳额定整流二极管（包括雪崩整流二极管）空白详细规范。 目的在于规定制定100A以下环境或管壳额定整流二极管（包括雪崩整流二极管）详细规范的 基本要求。 一第2-2部分：大