ICS29.045 H82 中华人民共和国国家标准 GB/T29508—2013 300mm硅 单晶切割片和磨削片 300mmmonocrystallinesiliconascutslicesandgrindedslices 2013-05-09发布 2014-02-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会发布前 言 本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)提出并归口。 本标准起草单位:有研半导体材料股份有限公司、中国有色金属工业标准计量质量研究所。 本标准主要起草人:闫志瑞、孙燕、盛方毓、卢立延、张果虎、向磊。 ⅠGB/T29508—2013 300mm硅单晶切割片和磨削片 1 范围 本标准规定了直径300mm、p型、<100>晶向、电阻率0.5Ω·cm~20Ω·cm的硅单晶切割片和 磨削片(简称硅片)产品的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存等。 本标准适用于直径300mm直拉单晶经切割、磨削制备的圆形硅片,产品将进一步加工成抛光片, 用于制作集成电路IC用线宽90nm技术需求的衬底片。 2 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文 件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。 GB/T1550 非本征半导体材料导电类型测试方法 GB/T1551 硅单晶电阻率测定方法 GB/T1554 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法 GB/T1555 半导体单晶晶向测定方法 GB/T1557 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法 GB/T1558 硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法 GB/T2828.1 计数抽样检验程序 第1部分:按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划 GB/T6616 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法 GB/T6624 硅抛光片表面质量目测检验方法 GB/T11073 硅片径向电阻率变化的测试方法 GB/T13388 硅片参考面结晶学取向X射线测量方法 GB/T14140 硅片直径测量方法 GB/T14264 半导体材料术语 GB/T26067 硅片切口尺寸测试方法 GB/T29504 300mm硅单晶 GB/T29507 硅片平整度、厚度及总厚度变化测试 自动非接触扫描法 YS/T26 硅片边缘轮廓检验方法 SEMIMF1390 硅片翘曲度的无接触自动扫描测试方法 3 术语和定义 GB/T14264界定的术语和定义适用于本文件。 4 技术要求 4.1 物理性能参数 硅片的导电类型、电阻率及径向电阻率变化、间隙氧含量、代位碳含量应符合GB/T29504的规定。 1GB/T29508—2013 4.2 几何参数 硅片的几何参数应符合表1的规定。硅片所有在表1中未列出的参数规格,按供需双方协商提供。 用户有特殊要求的,由供需双方协商提供。 表1 硅片几何参数要求 项目 指标 切 割 片硅片直径/mm 301 直径允许偏差/mm ±0.3 硅片厚度(中心点)/μm 910 厚度允许偏差/μm ±15 总厚度变化/μm ≤ 20 翘曲度/μm ≤ 50 崩边/mm ≤ 0.8 切口 有 磨 削 片硅片直径/mm 300 直径允许偏差/mm ±0.2 硅片厚度(中心点)/μm 820 厚度允许偏差/μm ±15 总厚度变化/μm ≤ 1.2 翘曲度/μm ≤ 45 崩边 无 4.3 晶体完整性 硅片的晶体完整性应符合GB/T29504的规定。 4.4 表面取向 4.4.1 硅片的表面取向为<100>。 4.4.2 硅片表面取向偏离不大于0.5°。 4.5 基准标记 直径300mm硅片切口的基准轴取向及尺寸应符合表2要求。 表2 硅片切口的要求 项目 指标 切口基准轴取向及偏差 <110>±1° 深度/mm 1.00+0.25 0.00 角度/(°) 90+5 -1 2GB/T29508—2013 4.6 表面质量 4.6.1 硅切割片崩边的径向延伸长度应符合表1的规定。每个崩边的周长不大于2mm,每片崩边总 数不能多于3个,每批硅片中崩边硅片数不得超过总片数的3%。 4.6.2 硅片不允许有裂纹、缺口。 4.6.3 硅片经清洗干燥后,表面应洁净、无色斑、无沾污。 4.6.4 硅切割片不得有明显切割刀痕。 4.6.5 硅磨削片表面应无划伤、亮点、刀痕、崩边。 4.7 边缘轮廓 硅片经边缘倒角,倒角后的边缘轮廓应符合YS/T26和GB/T26067的规定,特殊要求可由供需 双方协商确定。 5 试验方法 5.1 硅片导电类型测量按GB/T1550进行。 5.2 硅片电阻率测量按GB/T1551或GB/T6616进行。 5.3 硅片径向电阻率变化测量按GB/T11073进行。 5.4 硅片间隙氧含量测量按GB/T1557进行。 5.5 硅片代位碳含量测量按GB/T1558进行。 5.6 硅片直径测量按GB/T14140进行。 5.7 硅片厚度、总厚度变化及平整度测量按GB/T29507进行。 5.8 硅片翘曲度测量按SEMIMF1390进行。 5.9 硅片晶体完整性检验按GB/T1554进行。 5.10 硅片表面取向测量按GB/T1555进行。 5.11 硅片切口尺寸的测量按GB/T26067进行。 5.12 硅片切口基准轴取向测量按GB/T13388进行。 5.13 硅片表面质量检验按GB/T6624进行。 5.14 硅片的边缘轮廓检验按YS/T26进行。 6 检验规则 6.1 检查和验收 6.1.1 产品应由供方技术(质量)监督部门进行检验,保证产品质量符合本标准的规定,并填写产品质 量保证书。 6.1.2 需方可对收到的产品按本标准的规定进行检验。若检验结果与本标准(或订货合同)的规定不 符时,应在收到产品之日起三个月内向供方提出,由供需双方协商解决。 6.2 组批 硅片以批的形式提交验收,每批应由按照用户要求的同一规格的硅片组成。 6.3 检验项目 每批硅片抽检的项目有:导电类型、晶向及其偏离度、电阻率及径向电阻率变化、厚度和总厚度变 化、翘曲度、表面质量、直径、切口基准轴取向及切口尺寸、边缘轮廓、晶体完整性等。 3GB/T29508—2013 6.4 抽样 6.4.1 对于非破坏性检测项目,抽样按GB/T2828.1一般检验水平Ⅱ,正常检验一次抽样方案进行, 或由供需双方协商确定的抽样方案进行。 6.4.2 对于破坏性检测项目,抽样按GB/T2828.1特殊检验水平S-2,正常检验一次抽样方案,或按供 需双方协商确定的抽样方案进行。 6.5 检验结果的判定 6.5.1 导电类型、晶向检验若有一片不合格,则该批产品为不合格。 6.5.2 其他检验项目可以按照6.4抽检,其接收质量限(AQL)值见表3。也可进行全数检验,或按供 需双方协商的方法进行。 表3 硅片检验项目及接收质量限 序 号 检验项目 接收质量限(AQL) 1 电阻率 1.0 2 径向电阻率变化 1.0 3 间隙氧含量 1.0 4 代位碳含量 1.0 5 直径 1.0 6 厚度 1.0 7 总厚度变化 1.0 8 翘曲度 1.0 9 切口基准轴取向 1.0 10 切口尺寸 1.0 11 边缘轮廓 2.5 12表面质量崩边 1.0 沾污 1.5 划伤、亮点 2.0 裂纹、缺口 1.0 刀痕 1.0 色斑 1.0 累计 2.5 7 标志、包装、运输和贮存 7.1 硅片用相应规格的盒子包装,每个片盒应贴有产品标签。标签内容至少应包括: a) 产品名称(牌号); b) 产品规格、片数; c) 产品批号; d) 出厂日期。 4GB/T29508—2013 7.2 片盒装入一定规格的外包装箱,采取防震、防潮、防污染措施。包装箱内应有装箱单,外侧应有“小 心轻放”、“防潮”、“易碎”等标识,并标明: a) 需方名称、地点; b) 产品名称、牌号; c) 产品件数; d) 供方名称。 7.3 产品在运输过程中应轻装轻卸,勿压勿挤,并采取防震、防潮措施。 7.4 产品应贮存在清洁、干燥的环境中。 8 质量证明书 每批产品应有质量证明书,其内容应包括: a) 供方名称; b) 产品名称及规格、牌号; c) 产品批号; d) 产品片数(盒数); e) 各项参数检验结果和检验部门的印记; f) 出厂日期。 5GB/T29508—2013