ICS 31.080.01;31.080.30 L 42 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T29332—2012/IEC60747-9:2007 半导体器件分立器件 第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBT) Semiconductor devices-Discrete devices- Part 9:Insulated-gate bipolar transistors (IGBT) (IEC60747-9:2007,IDT) 2012-12-31发布 2013-06-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布 中国国家标准化管理委员会 中华人民共 和国 国家标准 半导体器件分立器件 第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBT) GB/T29332—2012/IEC 60747-9:2007 * 中国标准出版社出版发行 北京市朝阳区和平里西街甲2号(100013) 北京市西城区三里河北街16号(100045) 网址:www.gb168.cn 服务热线:010-68522006 2013年5月第一版 * 书号:155066·1-46864 版权专有 侵权必究

.pdf文档 GB-T 29332-2012 半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBT)

文档预览
中文文档 56 页 50 下载 1000 浏览 0 评论 309 收藏 3.0分
温馨提示:本文档共56页,可预览 3 页,如浏览全部内容或当前文档出现乱码,可开通会员下载原始文档
GB-T 29332-2012 半导体器件  分立器件  第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBT) 第 1 页 GB-T 29332-2012 半导体器件  分立器件  第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBT) 第 2 页 GB-T 29332-2012 半导体器件  分立器件  第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBT) 第 3 页
下载文档到电脑,方便使用
本文档由 人生无常 于 2024-05-23 23:16:20上传分享
站内资源均来自网友分享或网络收集整理,若无意中侵犯到您的权利,敬请联系我们微信(点击查看客服),我们将及时删除相关资源。